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2026-04-06 07:13:56 | 泉源：人民网出品 9415

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全球首秀！Intel首次展示ZAM原型：两大优势秒杀现;有内存_新浪科技_新浪网

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快科技2月1日新闻，，，，，，这是Intel ZAM内存首次果真展示！上周我们报道过，，，，，，Intel将与软银旗下子公司Saimemory告竣深度相助，，，，，，团结开发名为ZAM（Z-angle memory，，，，，，Z角内存）的下一代内存新手艺，，，，，，其单芯片最高容量可达512GB，，，，，，功耗较目今主流的HBM内存降低40%至50%，，，，，，意在突破HBM的垄断职位。。。。。原本以为还很遥远，，，，，，没想到Intel云云之快就向全球展示了其原型产品。。。。。据日本媒体PCWatch报道，，，，，，在Intel Connection Japan 2026运动上，，，，，，Intel首次果真展示 ZAM（Z角内存）内存手艺原型。。。。。Intel院士兼政府手艺首席手艺官Joshua Fryman和Intel日本首席执行官Makoto Onho出席了此次运动。。。。。此次运动主要关注ZAM怎样资助现有解决计划缓解性能和散热方面的瓶颈。。。。。这也是该手艺首次走出研究论文与新闻稿，，，，，，以原型形式面向市场。。。。。ZAM手艺的焦点突破在于架构设计，，，，，，其摒弃了古板内存的笔直布线模式，，，，，，接纳交织互连拓扑结构实现芯片堆叠内部的对角线 “Z 字形” 布线，，，，，，搭配铜 - 铜混淆键合手艺让芯片层间高效融合。。。。。同时团结无电容设计与Intel成熟的EMIB互连手艺，，，，，，既实现了与AI芯片的高速毗连，，，，，，又大幅降低芯片热阻，，，，，，散热性能成为其焦点优势。。。。。相较于现在AI领域主流的 HBM 内存，，，，，，ZAM的产品优势十分突出：单芯片最高容量可达 512GB，，，，，，功耗较HBM降低40%-50%，，，，，，能精准解决AI数据中心能耗高企的行业痛点，，，，，，而Z形互连设计还进一步简化了制造工艺流程，，，，，，为后续规�；；；；；；坎于ɑ�。。。。。据运动宣布的信息，，，，，，Intel 在ZAM项目中将认真初始投资与战略决议，，，，，，双方清晰的分工让这项手艺的落地路径更为明确。。。。。事实上，，，，，，Intel 早年间曾是DRAM市场的主要加入者，，，，，，1985年受日本厂商竞争攻击退出该赛道。。。。。现在全球 AI 大模子训练、超大规模数据中心运算推动算力需求指数级攀升，，，，，，DRAM 供应链瓶颈凸显，，，，，，HBM内存的垄断名堂也带来了本钱与产能问题，，，，，，这为Intel的回归提供了主要机缘。。。。。依托在先进封装、芯片堆叠领域的深挚手艺积累，，，，，，Intel试图以ZAM手艺抢占AI内存市场先机。。。。。不过，，，，，，ZAM手艺要实现市场突围仍面临要害磨练，，，，，，其最终能否突破现有市场名堂，，，，，，焦点在于能否获得 NVIDIA 等 AI 行业领军企业的接纳，，，，，，以及后续能否顺遂完成量产落地与生态建设。。。。。【本文竣事】如需转载请务必注明来由：快科技责任编辑：朝晖 (function(){ var adScript = document.createElement('script'); adScript.src = '//d1.sina.com.cn/litong/zhitou/sinaads/demo/wenjing8/js/yl_left_hzh_20171020.js'; document.getElementsByTagName('head')[0].appendChild(adScript); })();

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