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IT之家 12 月 1 日新闻，，，，，据韩媒 The Elec 上周（11 月 27 日）报道，，，，，三星电子将在明年 2 月举行的国际固态电路聚会（ISSCC）上展示 HBM4。。。。。。。。据报道，，，，，三星这次妄想展示的 HBM4 容量为 36GB、带宽 3.3TB/s，，，，，相比上个月展出的 36GB、24TB/s 的 HBM4 在带宽上获得进一步提升，，，，，三星还通过堆叠结构与重新设计接口提升了速率和能效。。。。。。。。一位行业人士诠释道：“三星在每个通道上应用了硅通孔（TSV）路径的瞄准信号（TDQS）自动校准手艺，，，，，从而提高高速区间的信号准确度，，，，，针对 AI 大模子等高流量场景举行了优化”。。。。。。。。值得注重的是，，，，，三星的敌手 SK 海力士也将在明年 2 月果真下一代存储手艺，，，，，有望一并展示单 Pin 速率达 14.4Gb/s 的 LPDDR6 内存，，，，，配备基于低压差稳压器（IT之家注：LDO）的 WCK 时钟分派架构，，，，，可在超高速的情形下坚持信号稳固，，，，，相比上一代 LPDDR5X 提升更高。。。。。。。。别的，，，，，SK 海力士还将果真展示 GDDR7 显存，，，，，单 Pin 速率最高可达 48Gb/s，，，，，容量 24Gb，，，，，最大的特点就是可以将通道分成两部分，，，，，可同时举行读写操作，，，，，面向 GPU、AI 边沿推理、高区分率游戏等场景。。。。。。。。作为参考，，，，，ISSCC 2026 将在明年 2 月 15 日至 2 月 19 日在美国旧金山举行，，，，，其中的参会者大部分是企业研究职员，，，，，因此预计会有大宗靠近量产的新手艺会在大会上首次亮相。。。。。。。。 (function(){ var adScript = document.createElement('script'); adScript.src = '//d1.sina.com.cn/litong/zhitou/sinaads/demo/wenjing8/js/yl_left_hzh_20171020.js'; document.getElementsByTagName('head')[0].appendChild(adScript); })();